面向30 W-500 W功率级应用的CoolGaN™ IPS系列产品

英飞凌近日发布的集成功率级（IPS）产品 CoolGaN™ IPS 系列产品，进一步拓展其宽禁带（ WBG）功率元件组合。IPS 基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源（SMPS）等。

CoolGaNTM IPS可提供：

英飞凌600 V CoolGaNTM 半桥式 IPS IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。其外观为8x8 QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型 （e-mode） HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER™系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。

IGI60F1414A1L的关键特性：

☑ 数字输入，功率输出构建模块：具备 2 个数字 PWM 输入，易于驱动

☑ 可根据应用需求配置开关性能：在PCB上构建低电感环路，栅极路径可配置

☑ 高度精确且稳定的时序：允许设置更短的死区时间以最大限度地提高系统效率

☑ 热增强型 8 x 8 mm QFN-28 封装：小型封装，适用于紧凑型系统设计

采用加强散热型8x8 QFN-28封装的IGI60F1414A1L已开放订购！

为什么选择氮化镓功率半导体器件？

“大功率、高功率密度、通用性（如Type-C）以及合适的成本是未来充电器市场的主要发展方向，也是英飞凌作为半导体解决方案供应商，所致力于切入和配合的市场需求。”英飞凌电源与传感系统事业部应用市场经理卢柱强表示。

与硅材料相比，氮化镓（GaN）具有多种基础优势特性。该材料具有高临界电场，使其尤为适用于功率半导体器件，同时相较于硅质 MOSFET，氮化镓器件具备出色的动态特征导通电阻且电容更低。上述特性让 GaN HEMT 成为高速开关应用的理想之选。

氮化镓器件不仅可降低耗电和总系统成本，还能提高工作频率、功率密度以及系统整体效率，正日益受到充电器市场和厂商的重视。这一点，也可以从市场上不断涌现的氮化镓充电器新品得以印证。

据介绍，自2018年起，英飞凌的氮化镓开关管的产品就已实现量产，在通讯和服务器领域持续、稳定地为客户提供电源支持。针对USB-C充电器，除了前文介绍的CoolGaN™ 集成功率级（半桥 + 驱动器）IPS IGI60F1414A1L，英飞凌还提供多种氮化镓解决方案。

一站式的USB-C 充电解决方案

作为快充和数据传输标准的 USB-C 供电技术正成为市场主流。USB-C PD 充电器以优化终端用户体验为主要目标，旨在提供紧凑型高功率充电解决方案，以提升充电速度和效率。

通过与赛普拉斯的强强联合，英飞凌为客户提供更全面的USB-C充电器解决方案，涵盖功率级、原边、副边，还有控制器、协议、高压硅MOS、低压硅MOS、氮化镓等，满足客户对于大功率、小型化、统一性、通用性、成本优化方案等需求。

一站式解决方案，支持客户打造高性能、高可靠性且高成本效益的充电器产品

领先的功率开关管（如MOSFET），助力客户提升产品性能和整体竞争力

作为市场上全面提供涵盖硅、碳化硅和氮化镓的全系列功率产品的公司，英飞凌可以根据客户实际需求和应用场景，提供更优器件。此次CoolGaN™ IPS系列的发布，也体现出英飞凌在宽禁带领域的持续布局和产品创新。